2016/06/20 (Mon) FETのゲート抵抗の選定

ゲート抵抗入れないと、ATtiny85の出力ピンとFETの関係は初期状態は以下の図の様に
FETは容量成分と等価になります。
この状態でV1の電圧を短い時間で立ち上げると、交流的にはC1はショート状態なので、
過大な電流が流れます。
ので、ゲート抵抗の１つの考えとして、マイコンのIoが定格電流を超えない様な値に設定します。


ATtiny85のデータシートの抜粋。
VoHの時、Io=10mAなので、Rg=5V/10mA=500Ω。
今回は、10mAも流したら、あれかなと思って、半分の5mAとしてRg=1kΩにしました。

FDC6561に近いデバイスでシミュレーション。
Rg=0Ω。2A近く流れています。


Rg=500Ω


Rg=1kΩ


実波形とほぼ同じ様な再現性があることが確認できたので、良しとします。